在日前先进光电子研究院主办的2013年能源与信息先进材料研讨会中，来自哈佛大学Thomas J. Kempa博士等来自国内外14所大学的40多名专家，出席了会议。
homas J. Kempa在我学城校区理5栋作了题为《Growth and Patterning of Complex Nanostructures》(复杂纳米结构的生长和图谱形成)的学术报告。物理与电信工程学院、化学与环境学院和华南先进光电子研究院部分师生参加了报告会。
结合自己的研究工作，Thomas J. Kempa介绍了纳米结构的合成与量身定制的形貌、晶体结构及组成。他以锗和硅在硅纳米线上气相的选择性生长为例，阐述了选择性沉积的锗是晶体，其面位置可以原位综合控制，并展示了制备具有各向异性和纳米多孔框架结构的纳米器件的最新方法，将复杂的纳米结构图案从纳米拓展到微米尺度。
会议结束后，与会师生就先进材料制备领域的有关问题和Thomas J. Kempa进行交流探讨。
